单片机晶振电路的原理和作用
侧边栏壁纸
  • 累计撰写 192,421 篇文章
  • 累计收到 3 条评论

单片机晶振电路的原理和作用

admin
2022-12-16 / 0 评论 / 0 阅读 / 正在检测是否收录...

单片机技术的发展以微处理器(MPU)技术及超大规模集成电路技术的发展为先导,以广泛的应用领域拉动,表现出较微处理器更具个性的发展趋势。下面小编给大家介绍一下“单片机晶振电路的原理和作用”。

一、单片机晶振电路的原理

晶振起振原理

石英晶片所以能做振荡电路(谐振)是基于它的压电效应,从物理学中知道,若在晶片的两个极板间加一电场,会使晶体产生机械变形;反之,若在极板间施加机械力,又会在相应的方向上产生电场,这种现象称为压电效应。

如在极板间所加的是交变电压,就会产生机械变形振动,同时机械变形振动又会产生交变电场。一般来说,这种机械振动的振幅是比较小的,其振动频率则是很稳定的。

但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(决定于晶片的尺寸)相等时,机械振动的幅度将急剧增加,这种现象称为压电谐振,因此石英晶体又称为石英晶体谐振器。其特点是频率稳定度很高。

晶振电路不只是有一个晶振,还有两个电容。

这两个电容一般称为“匹配电容”或者“负载电容”、“谐振电容”。晶振电路中加这两个电容是为了满足谐振条件。一般外接电容,是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。只有连接合适的电容才能满足晶振的起振要求,晶振才能正常工作。

负载电容的值由如下公式计算:

负载电容无法满足的话一般会使晶体频率产生偏差,严重的话晶体无法起振。电路设计中要尽量满足晶体的负载电容需求,从而使晶体工作在最佳状态。负载电容计算公式如下:

CL = C1*C2 / (C1+C2) + CS

CL为晶振的负载电容值,一般通过查询晶振的数据手册获得。CS为电路板的寄生电容,一般取 3~5pF,取C1 = C2,那么公式可以简化成如下:

CL = C1 / 2 + CS

一般情况下,增大负载电容的值会使振荡频率下降,减小负载电容的值,会使振荡频率上升。

(图片来源于互联网)

二、单片机晶振电路的作用

晶振电路是最小系统中的时钟电路,给单片机提供时间基准。它产生像时钟一样准确运动的振荡电路。任何工作都按时间顺序。用于产生这个时间的电路就是时钟电路。时钟电路一般由晶体振荡器、晶振控制芯片和电容组成。

一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)的两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容,请注意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。

一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。负载电容+等效输入电容=22pF

(图片来源于互联网)

0

评论 (0)

取消