ttl电平和cmos电平区别

TTL电平信号规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”(采用二进制来表示数据时)。这样的数据通信及电平规定方式，被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统。这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。那么接下来小编给大家介绍一下“ttl电平和cmos电平区别”。

一、ttl电平和cmos电平区别

TTL电平：

输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。

CMOS电平：

逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

1.电平转换电路：

因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需

要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。

2.OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能

将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱

动门电路。

3.TTL和COMS电路比较：

1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输

延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率

越高，芯片集越热，这是正常现象。

4.COMS电路的锁定效应：

COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增

大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。

（图片来源于互联网）