MOSFET的FT，如何定义？FT计算

MOSFET的FT，如何定义？FT计算-KIA MOS管

MOSFET-FT定义

在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(fT)

FT计算

MOS的小信号模型如下：

输入电流Iin(ω):

(1)

输出电流Iout(ω):

(2)

电流增益:

(3)

低频时,gm>>ωCgs

(4)

高频时,gm<<ωCgs

(5)

我们让(4)式等于1,可以求出ωt (注: FT=ωt/2π)

(6)

根据gm表达式, 用Vgs替换掉式(6)中的gm

(7)

把(7)带入(6)得到:

(8)

影响因素

根据式(8),可以知道–增大Vgs可以增大FT–减小沟道L会增大FT

进一步说: 根据式(6)

–增大偏置电流可以增大FT(FT:∝电流的平方根）

–当偏置电流恒定，减小沟道的L可以增大FT[FT∝L^(-3/2)]

注意

–FT不受S端和D端结电容的影响。

–FT不受RG的影响，且仍等于上面(6)给出的值。

PS: 小尺寸MOS管FT笔记

FT随过驱动而增加，但随着垂直电场减小了迁移率变而平。下面绘制的是NMOS器件的fT，其中W / L = 5μm/ 40 nm VDS = 0.8 V.