MOS管电流源驱动原理分析

MOS管电流源驱动原理分析-KIA MOS管

MOS管电流源驱动

本文采用电流源方式驱动电路，研究电流源驱动条件下的MOS管开关特性，对驱动电路进行了细致分析。

MOS管电流源驱动原理分析：

在传统电压源驱动方式下，开关管VT门极电容充电的过程中，充电电流、Cin 两端电压Ugs变化如图1所示；

to时刻门极平均电流Ig达到峰值Ugate / RG，随后快速下降，在t1~t2时刻由于发生miller电容效应，Ugs不变，此时电流i可近似看成常数。

这段时间miller电容效应明显，随着IG的减小，驱动能力减弱，导致开关时间长、开关损耗大。

为了减少miller电容效应，若在开关管门极电容充电的过程中，保持充电电流不变，如图2所示；

(图中Ipl-on、Ipl-off分别表示开通和关断时米勒平台电流，Ith-on、Ith-off分别表示开通和关断时刻的门槛电流)，则开关时间将缩短，开关损耗降低。

基于这种思想，本文采用了电流源驱动电路，通过特定的驱动方式，在MOS管开启和关断时，产生一个近似恒流的电源给其供电，缩短开关时间，达到减少开关损耗的目的。

由式(1 )知开关损耗与开通和关断时间、开关频率成正比。

其中，uDS和iDS分别为漏源电压和电流；tr和tf分别为开关过程中的上升和下降时间。

电流源驱动的目的是为减少开通和关断时间，使开关电源在高频下工作时的开关损耗比传统驱动大幅降低。