本文主要是关于雪崩二极管的相关介绍，并将其与 PIN 光电二极管做比对，探究它俩之间的区别。
雪崩二极管
PN 结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。
雪崩击穿是 PN 结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。 利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。
雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子 - 空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子 - 空穴对，这就是倍增效应。1 生 2，2 生 4，像雪崩一样增加载流子。 齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN 结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子 - 空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的 PN 结才做得到。（杂质大电荷密度就大）
一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管。
制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。
雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中
其主要缺点是噪声较大。
雪崩二极管与 PIN 光电二极管有何区别
PIN: 光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；
雪崩光电二极管（APD）：除了和 PIN 相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。
PIN 光电二极管、雪崩光电二极管均属于半导体光电探测器，所使用的材料一样，光谱响应范围也一样。PIN 光电二极管优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，所以线性输出范围宽不足之处在于 I 层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。所以 PIN 光电二极管通常接有前置放大器。
雪崩光电二极管是具有内部增益光电探测器，雪崩增益虽比光电倍增管 PMT 小的多，但仍使 APD 的灵敏度比 PIN 光电二极管高的多，解决了 PIN 光电二极管灵敏度低的问题，在高速调制微弱信号检测时其优点便更加明显，但由于其增管效益，信号中的噪声也会同时被放大，且其增益系数受温度影响必要时还需采用温度补偿措施。较之 APDPIN，光电二极管对温度不敏感适用场合受限制较少，所以绝大多数系统均采用 PIN 光电二极管，但在信号损耗过大光信号过于微弱或长距离传输等条件下，APD 就很有必要。
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