MOS管损毁原因大总结 看得明明白白

MOS管损毁原因大总结 看得明明白白

本文主要讲MOS管损毁原因，会从4个方面来讲。希望对大家有所帮助。MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

1、MOS管损毁原因-在电源电压方面

1）、过流-------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；

2）、过压-------源漏过压击穿、源栅极过压击穿；

3）、静电-------静电击穿。CMOS电路都怕静电；

2、MOS管损毁原因-在MOS管电源电压方面

1）、漏源电压过大，MOS管烧坏。现象：MOS管D、S两端短路；

2）、漏源电流过大，MOS管烧坏。现象：MOS管D、S两端短路；

3）、栅源电压过大，MOS管烧坏。现象：MOS管G、D、S短路；

3、MOS管损毁原因-其他方面

1）、堵转会使电机感应电动势升高，使电机电流大增过流保护太迟钝；

2）、同时导通；

3）、功率过大；

4）、散热不足；

5）、频率太高；

6）、MOS管内阻未充分考虑，导致开关阻抗增大；

4、MOS管损毁原因-会对MOS管造成的影响

1）、MOS管吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响MOS管的功能和寿命。

2）、因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使MOS管不能工作（完全破坏）。

3）、因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使MOS管受伤，虽仍能工作，但是寿命受损。